Научно-учебный лабораторный комплекс для определения температурно-обусловленного изменения показателя преломления и изменения длины оптического пути в материале при его нагреве

Оптические, оптоэлектронные, лазерные системы и технологии

Научно-учебный лабораторный комплекс для определения температурно-обусловленного изменения показателя преломления и изменения длины оптического пути в материале при его нагреве

Назначение: источник лазерных импульсов фемтосекундной длительности применяется в оптических стандартах частоты, прецизионной обработке материалов, сверхбыстрой спектроскопии, нелинейной оптике и т.д.

Преимущества: использование коммерчески доступных InGaAs лазерных диодов накачки обеспечивает высокую эффективность генерации, компактность и снижает требования по охлаждению активной среды лазера.

Основные характеристики:

рабочая длина волны - 1040±10нм;
длительность лазерных импульсов – 90±5фс;
энергия импульсов – более 28нДж;
средняя выходная мощность – более 2Вт;
оптическая эффективность генерации – боле 38%;
частота следования импульсов - 70±10МГц;
параметр качества выходного пучка М2 – менее 1.3.

Использование в разработанном лазере зеркал с насыщением поглощения SESAM обеспечивает режим синхронизации мод с высокой средней выходной мощностью, высокой эффективностью генерации и короткой длительностью импульса.
Использование квази-внеосевой продольной схемы накачки обеспечивает снижение потерь в коротковолновой области спектра генерируемого излучения по сравнению с широко распространенными схемами накачки.

Разработчик: Кисель В.Э., д.ф.-м.н., профессор

Контакты: тел. +375 (17) 293 96 85, e-mail: ontim@bntu.by

Расположение фото: Слева

Видео (файл):

Связанные товары по фильтру: []

Описание для анонса:

Картинка для анонса: Array

Детальное описание: Назначение: источник лазерных импульсов фемтосекундной длительности применяется в оптических стандартах частоты, прецизионной обработке материалов, сверхбыстрой спектроскопии, нелинейной оптике и т.д.

Преимущества: использование коммерчески доступных InGaAs лазерных диодов накачки обеспечивает высокую эффективность генерации, компактность и снижает требования по охлаждению активной среды лазера.

Основные характеристики:

рабочая длина волны - 1040±10нм;
длительность лазерных импульсов – 90±5фс;
энергия импульсов – более 28нДж;
средняя выходная мощность – более 2Вт;
оптическая эффективность генерации – боле 38%;
частота следования импульсов - 70±10МГц;
параметр качества выходного пучка М2 – менее 1.3.

Детальная картинка: