Преимущества: использование коммерчески доступных InGaAs лазерных диодов накачки обеспечивает высокую эффективность генерации, компактность и снижает требования по охлаждению активной среды лазера.
Основные характеристики:
- рабочая длина волны - 1040±10нм;
- длительность лазерных импульсов – 90±5фс;
- энергия импульсов – более 28нДж;
- средняя выходная мощность – более 2Вт;
- оптическая эффективность генерации – боле 38%;
- частота следования импульсов - 70±10МГц;
- параметр качества выходного пучка М2 – менее 1.3.
Использование квази-внеосевой продольной схемы накачки обеспечивает снижение потерь в коротковолновой области спектра генерируемого излучения по сравнению с широко распространенными схемами накачки.
Разработчик: Кисель В.Э., д.ф.-м.н., профессор
Контакты: тел. +375 (17) 293 96 85, e-mail: ontim@bntu.by