Методика бесконтактного контроля однородности распределения параметров ионно-легированных и диффузионных слоев на полупроводниковых пластинах диаметром до 200 мм

Оптические, оптоэлектронные, лазерные системы и технологии

Методика бесконтактного контроля однородности распределения параметров ионно-легированных и диффузионных слоев на полупроводниковых пластинах диаметром до 200 мм

Назначение: методика используется для технологического контроля в производстве интегральных микросхем и других изделий полупроводниковой техники и обеспечивает определение пространственного распределения таких параметров, как электрический потенциал поверхности, поверхностная фото-ЭДС, удельное электрическое сопротивление ионно-легированных и диффузионных слоев.

Преимущества: прямые аналоги методики отсутствуют.

Основные характеристики: контроль пространственного перемещения отсчетного электрода над поверхностью объекта измерения производится с погрешностью, не превышающей 0,01 мм.
Внедрение предложенной методики бесконтактного контроля обеспечивает расширение номенклатуры аналитических методов контроля для исследований полупроводниковых структур при создании изделий электронной техники.

Разработчики: Жарин А.Л., д.т.н., профессор, Воробей И.В., Воробей Р.И., к.т.н., доцент, Гусев О.К., д.т.н., профессор, Микитевич В.А., Миронович Н.М., Пантелеев К.В., к.т.н., доцент, Самарина А.В., Свистун А.И., к.т.н., доцент, Тявловский А.К., к.т.н., доцент, Тявловский К.Л., к.ф.-м.н., доцент, Шадурская Л.И., к.ф.-м.н., доцент 

Контакты: тел. +375 (17) 293 96 85, e-mail: ontim@bntu.by

Расположение фото:  С наездом на шапку

Видео (файл): 

Связанные товары по фильтру:  []

Описание для анонса: 

Картинка для анонса: Array

Детальное описание: 

Назначение: методика используется для технологического контроля в производстве интегральных микросхем и других изделий полупроводниковой техники и обеспечивает определение пространственного распределения таких параметров, как электрический потенциал поверхности, поверхностная фото-ЭДС, удельное электрическое сопротивление ионно-легированных и диффузионных слоев.

Преимущества: прямые аналоги методики отсутствуют.

Основные характеристики: контроль пространственного перемещения отсчетного электрода над поверхностью объекта измерения производится с погрешностью, не превышающей 0,01 мм.
Внедрение предложенной методики бесконтактного контроля обеспечивает расширение номенклатуры аналитических методов контроля для исследований полупроводниковых структур при создании изделий электронной техники.

Разработчики: Жарин А.Л., д.т.н., профессор, Воробей И.В., Воробей Р.И., к.т.н., доцент, Гусев О.К., д.т.н., профессор, Микитевич В.А., Миронович Н.М., Пантелеев К.В., к.т.н., доцент, Самарина А.В., Свистун А.И., к.т.н., доцент, Тявловский А.К., к.т.н., доцент, Тявловский К.Л., к.ф.-м.н., доцент, Шадурская Л.И., к.ф.-м.н., доцент 

Контакты: тел. +375 (17) 293 96 85, e-mail: ontim@bntu.by

Детальная картинка: